口頭発表

国際発表

2018

  1. K.Mizuno, M.Nakajima, H.Ishiwata, Y. Masuyama, T.Iwasaki, and M.Hatano "Wide field diamond magnetometry with millihertz frequency resolution and nanotesla sensitivity", 29th International Conference on Diamond and Carbon Material, Elsevier Dobrovnik, Croatia, Sep. 2018.
  2. 波多野 睦子 ”ダイヤモンドのエレクトロニクスとフォトニクス:量子センサの応用“OPTICS & PHOTONICS International Congress 2018,(パシフィコ横浜)Apr. 25, 2018.
  3. M. Shimizu , T. Makino , H. Kato, T. Iwasaki , S. Yamasaki , M. Hatano “Charge state modulation of nitrogen vacancy centers in multiple layer of n-i-n junctions “, Hasselt Diamond Workshop 2018 - SBDD XXIII,( cultuurcentrum Hasselt, Hasselt, Belgium), Mar. 9, 2018.

2017

  1. T. Murooka, J. Yaita, T. Iwasaki, T. Makino, H. Kato, M. Ogura and M. Hatano, “: A High Performance Diamond JFET for Next Generation Power Semiconductor Devices”, The Sixth International Education Forum on Envbironment and Energy Science, (Gran Melia Palacio de Isora Tenerife, Canary islands, Spain), Dec. 17, 2017.
  2. K. Mizuno, H. Ishiwata, M. Nakajima, T. Iwasaki, M. Hatano、“Wide Field Nuclear Magnetic Resonance Microscopy with Nano-Tesla Sensitivity by NV center in Diamond”, The Sixth International Education Forum on Envbironment and Energy Science, (Gran Melia Palacio de Isora Tenerife, Canary islands, Spain), Dec. 16,2017.
  3. Y. Masuyama , H. Ozawa , Y. Hatano , T. Iwasaki , M. Hatano, “Quantum Sensing System for Large Detection Volume with Ensemble Nitrogen-Vacancy Centers”, 2017MRS Fall Meeting & Exhibit, (Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts) Nov. 29,2017.
  4. H. Ozawa , H. Ishiwata , T. Iwasaki , M. Hatano, “Assessment on Thermal Stability of Atomic Orientation of N-V Axis Using Perfectly-Aligned NV Ensembles”, 2017MRS Fall Meeting & Exhibit, (Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts), Nov. 29, 2017.
  5. K. Mizuno , H. Ishiwata , M. Nakajima , T. Iwasaki , M. Hatano, “ Realization of Nano-Tesla Sensitivity in Wide Field Dynamical Decoupling by Delta-Doped NV Centers”, 2017MRS Fall Meeting & Exhibit, (Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts), Nov. 28, 2017.
  6. T. Tsuji, H. Ozawa, J. Yaita, T. Iwasaki, M. Hatano, “High Growth Rate CVD of Selectively Aligned Ensemble NV Centers”, 2017MRS Fall Meeting & Exhibit, (Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts), Nov. 27, 2017.
  7. M. Nakajima , H. Ishiwata , T. Iwasaki , M. Hatano, “CVD Growth Formation of Perfectly Aligned High Density Delta Dope NV Center Film for Wide Field Imaging of Nano-NMR”, 2017MRS Fall Meeting & Exhibit, (Hynes Convention Center, Boston, Massachusetts), Nov. 29, 2017.
  8. T.Murooka, “High Performance Diamond JFET for Next Generation Power Semiconductor Devices” OIST Diamond Workshop 2017, (OIST Seaside House, Okinawa, Japan), Oct. 31,2017.
  9. M.Hatano, T.Iwasaki “Diamond Quantum Sensors and Surface Science”The 8th International Symposium on Surface Science (Tsukuba International Congress Center) Oct.24, 2017.(Invited)
  10. M.Hatano , H.Ishiwata , T.Iwasaki “Diamond Quantum Sensors for Biological Application”, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials.(仙台国際センター)、Sep. 21,2017.(Invited)
  11. T. Iwasaki “Quantum sensing of diamond power devices using NV centers”, European Materials Research Society 2017 Fall Meeting, (Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland),Sep. 19,2017.(Invited)
  12. T. Iwasaki “Quantum technologies using diamond color centers”、Impurity Spins for Quantum Information and Technologies 2017(OIST Seaside House and Conference room C210, Okinawa)Sep.13, 2017.(Invited)
  13. T. Iwasaki , W. Naruki , K. Tahara , R. Amici1 , T. Makino , H. Kato , M. Ogura , D. Takeuchi , S. Yamasaki , M. Hatano 、“Quantitative sensing of the electric-field in diamond power devices using NV centres”、28th International Conference on Diamond and Carbon Materials(Gothia Towers,Gothenburg,Sweden)Sep. 4,2017.
  14. T. Iwasaki, “Heteroepitaxy of diamond on 3C-SiC/Si (111) substrate ”、28th International Conference on Diamond and Carbon Materials(Gothia Towers,Gothenburg,Sweden) Sep. 5,2017.(Invited)
  15. M. Hatano, “Diamond device technologies for quantum sensors” NDNC CAIRNS 2017 ( Shangri-La Hotel) May. 29,2017.(Invited)
  16. M. Hatano “NV Ensemble Diamond Device Technologies for Quantum Sensing Applications” 2017 MRS Spring meeting & Exhibit (Phoenix Convention Center, Phoenix USA) ,Apr. 20,2017.(Invited)
  17. H. Ishiwata, K. Tahara, M. Nakajima, T. Iwasaki, M. Hatano “Formation of highly aligned delta doped NV center diamond film for NMR application” Hasselt Diamond Workshop 2017 (Hasselt,Belgium) Mar. 10,2017.
  18. J. Yaita, T. Iwasaki, M. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano “High-Quality Heteroepitaxial Diamond Films Grown on 3C-SiC/Si Substrates” Hasselt Diamond Workshop 2017 (Hasselt,Belgium) Mar. 8,2017.

2016

  1. J. Yaita, T. Iwasaki, M. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano, “Scaling Laws for the Dislocation Reduction in Heteroepitaxial Diamond Films on 3C-SiC/Si Substrates The Fifth International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES),Catamaran Resort Hotel Spa (San Diego, USA ,Dec. 16,2016.
  2. Y. Shimamoto, T. Suto, H. Ozawa, M. Hatano, S. Oda, T. Iwasaki,” Very Narrow Linewidths in the Fluorescence from Germanium-Vacancy Centers in Nanodiamonds” 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) ,Dec. 2,2016.
  3. Y. Hatano, K. Tahara, T. Iwasaki, S. Yasuda, S. Yamasaki, Y. Harada, M. Hatano, “Prototype Magnetometer with Diamond NV Centers for Scalable Applications” 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) ,Dec. 1,2016.
  4. H. Ishiwata, K. Tahara , H. Ozawa, T. Iwasaki, M. Hatano, “Growth of Highly Aligned Delta Doped NV Center Diamond Film” 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) ,Nov. 30,2016.
  5. T. Iwasaki, M. Hatano,” Towards Deterministic CVD Formation of Quantum Emitters in Diamond” 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) , Nov. 30,2016.
  6. H. Ozawa, K. Tahara, H. Ishiwata, T. Iwasaki, M. Hatano, “Control of internal stress of selectively-aligned NV ensemble diamond film for higher contrast of magnetic resonance” 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) , Nov. 29,2016.
  7. T. Suto, J. Yaita , T. Iwasaki , M. Hatano、“Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on 3C-SiC / Si (111) Substrates by Pulse Bias Enhanced Nucleation”2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center ( Boston USA) , Nov. 28,2016.
  8. J. Hasegawa, L. Pace, L. V. Phung, M. Hatano, and Dominique Planson, "Simulation-based study on the optical beam intensity dependence of the optically triggered 4H-SiC thyristors turn-on operation", SSDM2016, Tsukuba International Congress Center ,Tsukuba, Japan, Sep. 28,2016.
  9. K. Tahara, H. Ozawa, H. Ishiwata, T. Iwasaki, M. Hatano “Selectively-aligned high density NV center ensemble in (111) diamond : from CVD-growth to sensing application” 2016 E-MRS Fall Meeting, Warsaw University of Technology (Warsaw, Poland) Sep. 21,2016.(Invited)
  10. M. Hatano, T. Iwasaki, Satoshi Yamasaki, T. Makino “Diamond Electronics” ESSCIRC-ESSDERC 2016, Swisstech Convention Centre (Lausanne, Switzerland) Sep. 14,2016.
  11. M. Hatano, “High performance quantum sensor system with diamond NV centers for scalable applications” 2016 Germany-Japan Workshop on Nanoscale Electron-Photon Interactions via Energy Dissipation and Fluctuation, Ulm University, (Ulm, Germany) Aug. 1,2016.
  12. T. Iwasaki, M. Hatano, “Germanium-Vacancy Quantum Emitters in Diamond” 2016 Germany-Japan Workshop on Nanoscale Electron-Photon Interactions via Energy Dissipation and Fluctuation, Ulm University, (Ulm, Germany) Aug. 1,2016.
  13. H. Ishiwata, K. Tahara, H. Ozawa, T. Iwasaki, M. Hatano,“Growth of highly aligned delta doped NV center diamond film” 2016 Germany-Japan Workshop on Nanoscale Electron-Photon Interactions via Energy Dissipation and Fluctuation, Ulm University, (Ulm, Germany) Aug. 1,2016.
  14. K. Tahara, H. Ozawa, T. Iwasaki , M. Hatano “Magnetometry using selectively-aligned and high-density NV center ensemble in CVD-grown (111) diamond” 2016 Germany-Japan Workshop on Nanoscale Electron-Photon Interactions via Energy Dissipation and Fluctuation, Ulm University, (Ulm, Germany) Aug. 1,2016.
  15. H. Ozawa, K. Tahara, H. Ishiwata, T. Iwasaki, M. Hatano, “Growth Temperature Dependence of Nitrogen Doped Diamonds for Selectively Aligned NV ensemble” 2016 Germany-Japan Workshop on Nanoscale Electron-Photon Interactions via Energy Dissipation and Fluctuation, Ulm University, (Ulm, Germany) Aug. 1,2016.
  16. T.Iwasaki, M.Hatano “Diamond JFET for Next Generation Low-Loss Power Electronic” ISCSI-VII/ISTDM 2016, Nagoya University (Nagoya, Japan), Jun. 8,2016.(Invited)
  17. T.Iwasaki, M.Hatano “Diamond Junction Field-Effect Transistors for Low-Loss Power Electronics” 2016 MRS Spring Meeting & Exhibit, Phoenix Convention Center, Phoenix Arizona USA, Mar. 31,2016.(Invited)
  18. S.Akabane, G. Sahara, N. Ichikawa, M. Kato, K. Maeda, T.Iwasaki, T.Kodera, M.Hatano,”CO2 Reduction with p-Type 3C-Sic Photo-Electrodes” 2016 MRS Spring Meeting & Exhibit, Phoenix Arizona USA, Phoenix Convention Center ,Mar. 31,2016.
  19. M.Hatano,” Diamond Quantum Sensor” JSPS CAS QNERC Symposium on Nanowires and Nanodevices, Tokyo Institute of Technology, Mar. 30,2016.(Invited)

2015

  1. J. Yaita, T. Iwasaki, M. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano, “Improving of Heteroepitaxial Diamond Crystalline for Diamond Power Device Applications”, The Fourth International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), The Westin Maui Resort &Spa, Ka’anapali Maui Hawaii, USA, Dec. 7, 2015.
  2. J. Hasegawa, T. Iwasaki, T. Kodera, M. Hatano, “Measurement of the SiO2/SiC interface state density in a wide energy-level range using capacitance transient spectroscopy”,The Fourth International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), The Westin Maui Resort &Spa, Ka’anapali Maui Hawaii USA, Dec. 10, 2015.
  3. T. Iwasaki, F. Ishibashi, Y. Miyamoto, Y. Doi, S. Kobayashi, T. Miyazaki, K. Tahara, K. Jahnke, L. Rogers, B. Naydenov, F. Jelezko, S. Yamasaki, S. Nagamachi, T. Inubushi, N. Mizuochi, M. Hatano “Germanium-Vacancy Single Color Centers in Diamond” 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA), Nov. 30, 2015.
  4. M. Hatano, T.Iwasaki, S. Yamasaki “Diamond Semiconductor Devices for Next Generation Power Electronics and Quantum Sensing Applications” 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA), Nov. 30, 2015.
  5. H. Ozawa, K. Tahara, T. Iwasaki, M. Hatano “Selective Alignment of Ensemble NV Centers in Microwave Plasma CVD Diamond Grown on (111) Substrates” 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA), Dec. 1, 2015.
  6. J. Yaita, T. Iwasaki, M. R. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano “Effect of High Plasma Density on Heteroepitaxial Diamond Nucleation on 3C-SiC/Si Substrates” 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA), 2Dec. 3, 2015.
  7. J. Hasegawa, M. Noguchi, M. Furuhashi, S. Nakata, T. Iwasaki, T. Kodera, T. Nishimura, M. Hatano, “ Measurement of the SiO2/SiC interface state density in a wid energy-level range using capacitance transient spectroscopy” 16th ICSCRM2015, AtaHotel Naxos Beach (Giardini Naxos, Italy) 0ct. 8, 2015.
  8. M.Hatano, T.Iwasaki, S.Yamasaki, “Diamond Electronic for Power Devices and Sensing Applications” SSDM2015, Sapporo Convention Center (Sapporo Hokkaido) ,Sep. 29, 2015.(Invited)
  9. W.Naruki, K.Tahara, T.Iwasaki, H.Kato, T.Makino, M.Ogura, D.Takeuchi, S.Yamasaki, M.Hatano, “Fabrication of Nitrogen-vacancy Centers in Diamond Power Devices for Electric-Field Sensing” SSDM2015, Sapporo Convention Center (Sapporo Hokkaido) ,Sep. 28, 2015.
  10. T.Suto, J.Yaita, T.Iwasaki, M.Natal, S.E.Saddow, M.Hatano, “Heteroepitaxial Growth of Diamond on 3C-SiC/Si Substrates by Antenna-Edge Microwave Plasma CVD” SSDM2015, Sapporo Convention Center (Sapporo Hokkaido) ,Sep. 29, 2015.
  11. M.Hatano, T.Iwasaki, K.Tahara, “ Diamond semiconductor devices for power electronics and quantum sensing applications” International Conference on Diamond and Carbon materials, Maritim Hotel Bad Homburg (Bad Homburg, Germany) ,Sep. 9, 2015.(Invited)
  12. K. Tahara, H.Ozawa, T.Iwasaki, M.Hatano, “Selctive alignment of ensemble nitrogen-vacancy centres in CVD-grown (111) diamond” International Conference on Diamond and Carbon Materials, Maritim Hotel Bad Homburg (Bad Homburg, Germany) ,Sep. 10, 2015.
  13. M.Hatano “Development of magnetic image sensors based on ensemble nitrogen-vacancy centers in CVD-grown diamond” Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Takamatsu, Japan,Aug. 5, 2015.(Invited)
  14. K. Tahara, H. Ozawa, T. Iwasaki, M. Hatano,“Quantifying selective alignment of ensemble nitrogen-vacancy centers in (111) diamond” Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Takamatsu, Japan ,Aug. 5, 2015.
  15. M.Hatano “Diamond junction FETs with the lateral p-n junctions” 3rd French-Japanese workshop on diamond power devices, Hotel 3 Suites Nimes, France, 2015 July 8th.(Invited)
  16. M.Hatano “Junction FETs and quantum sensing application” OMNT International Symposium on Diamond, Institut Neel (Grenoble, France), Jul. 6, 2015.(Invited)
  17. M.Shimisu, T.Makino, T.Iwasaki, J.Hasegawa, K.Tahara, W.Naruki, H.Kato, S.Yamasaki,M.Hatano “Fabrication of n-p-n junctions for stable negatively charged nitrogen vacancy centers” 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2015, Shizuoka Granship(Shizuoka, Japan),May. 28, 2015.
  18. T.Iwasaki "Diamond Junction Field-Effect Transistors and Heteroepitaxial Growth Toward Large-Size Wafer”CMOSETR 2015, Hyatt Regency (Vancouver, Canada),May. 22, 2015.(Invited)
  19. T. Iwasaki, H. Kato, J.Yaita, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki, M.Hatano “Current Enhancement by Conductivity Modulation in Diamond JFETs for Next Generation Low-Loss Power Devices” The 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Kowloon Shangri-La, Hong Kong ,May. 12, 2015.
  20. T. Iwasaki, H. Kato, J. Yaita, T. Makino, M. Ogura, D. Takauchi, H. Okushi, S. Yamasaki, M. Hatano, “Minority carrier injection in diamond power JFETs for on-current improvement” Cultuurcentrum Hasselt(Hasselt Belgium) ,Feb. 26, 2015.
  21. T. Suwa, T. Iwasaki, K. Sato, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Hatano,“Normally-off operation of diamond junction FETs” Hasselt Diamond Workshop 2015, Cultuurcentrum Hasselt(Hasselt Belgium) ,Feb. 25, 2015.

2014

  1. K. Tahara, T. Iwasaki, A. Matsutani, M. Hatano,“Characteristics of Fluorinated Graphene Field Effect Transistors” The Third International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), Perth, Australia, Dec. 2014.
  2. J. Yaita, T. Iwasaki, M. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano,“Heteroepitaxial Growth of Diamond on Si Substrates via 3C-SiC buffer layer by Antenna Edge Microwave Plasma CVD for Power Electronics Application” The Third International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), Perth, Australia, Dec. 2014.
  3. J. Hasegawa, T. Kodera, T. Iwasaki, M. Hatano“Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS” The Third International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), Perth, Australia, Dec. 2014.
  4. J. Yaita, T. Iwasaki, Meralys Reyes-Natal, Stephen E. Saddow, M. Hatano, “Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on Si(001) Substrates with 3C-SiC(001) Buffer Layers” 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA),Dec. 3, 2014.
  5. T. Iwasaki, J. Yaita, Kazuki Sato, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, Daisuke Takeuchi, Takashi Yatsui, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki, M. Hatano,“High Voltage Characteristics and Interface Analysis of Diamond Lateral p-n Junction Devices” 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit, Hynes Convention Center in Boston (Boston USA),Dec. 1,2014.
  6. M.Hatano,"Diamond Junction FETs for Next-generation Power Electronics" Japan-France Joint Diamond Workshop 2014, 九大西新プラザ、Fukuoka Japan, Oct. 6,2014.(Invited)
  7. T. Iwasaki, "High Voltage Operation and Interface Structure of Diamond Lateral pn Devices" Japan-France Joint Diamond Workshop 2014, 九大山の家Oita Japan, Oct. 9,2014.(Invited)
  8. J.T.Song, T.Iwasaki,M.Hatano, “Photoelectrochemical Co2 conversion system with 3C-SiC photo-anode and Pt counter electrode “SSDM2014,Tsukuba International Congress Center, Tsukuba Japan, Sep. 11,2014.
  9. J.Yaita, T.Iwasaki, M.Natal, S.E.Sadow, M.Hatano, "Heteroepitaxial growth of diamond films on 3C-SiC (001)/Si substrates by antenna-edge microwave plasma CVD”,SSDM2014,Tsukuba International Congress Center, Tsukuba Japan, Sep. 9,2014.
  10. M. Hatano, T. Iwasaki, K. Tsuzuki, K. Sato, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki,“High voltage and high temperature operation of diamond junction FETs with the lateral p-n junctions”, Hasselt Diamond Workshop 2014, Cultuurcentrum Hasselt (Hasselt, Belgium), Feb. 20,2014.

2013

  1. H. Mashiko, T. Oshima, K. Yoshimatsu, E. Sakai, H. Kumigashira, J. T. Song, T. Iwasaki, M. Hatano, A. Ohtomo,“A Systematic Study of (CrxFe1-x)2O3 Solid-Solution Photoelectrodes for Visible-Light-Driven Water Splitting” The Second International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), Huntington Beach, USA, Dec. 2013.
  2. J. T. Song, T. Iwasaki, M. Hatano“Improved Visible Light Driven Photoelectrochemical Properties of 3C-SiC Semiconductor with Pt Nanoparticles” The Second International Education Forum on Environment and Energy Science(ACEEES), Huntington Beach, USA, Dec. 2013.
  3. J. Hasegawa, T. Iwasaki, and, M. Hatano, "Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation", The Second International Education Forum on Environment and Energy Science (ACEEES). Huntington Beach, USA, Dec. 2013.
  4. J. T. Song, Y. Nakamine, T. Iwasaki, M. Hatano,“Pt co-catalyst effect for improving 3C-SiC photo-anode properties”2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doushisha Univ, Kyoutanabe Campus (Kyoto,Japan), Sep. 16, 2013.
  5. S. Furuyama, K. Tahara, T. Iwasaki, A. Matsutani, M. Hatano,“Low Temperature Transport Properties of Fluorinated Graphene FET Controlled by Ionic Liquid Gating”2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doushisha Univ, Kyoutanabe Campus (Kyoto,Japan), Sep. 19, 2013.
  6. K. Tahara, T. Iwasaki, S. Furuyama, A. Matsutani, M. Hatano,“Asymmetric transport properties in fluorinated graphene”2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doushisha Univ, Kyoutanabe Campus (Kyoto,Japan), Sep. 19, 2013.
  7. T. Iwasaki, Y. Hoshino, K. Tsuzuki, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki, M. Hatano,“High Temperature Performance of Diamond Junction Field Effect Transistors”2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doushisha Univ, Kyoutanabe Campus (Kyoto,Japan), Sep. 19, 2013.
  8. M.Hatano, “Monolayer diamond FETs consist of fluorinated graphene channel”, International Conference on Semiconductor technology for ultra large scale integrated circuits and thin film transistors, Villard-de-Lans (Grenoble, France), Jul. 8, 2013.(Invited)
  9. M. Hatano“Diamond Junction Field-Effect Transistors with Lateral pn-junctions” the first French-Japanese Workshop “Diamond power devices”, Magestic Congress Center (Chamonix, France), Jun. 20, 2013.(Invited)
  10. M.Hatano, “Diamond Junction Field-Effect Transistors with Lateral pn-junctions for Next Generation Power Devices”, AWAD2013, Korea University (Seoul, South Korea), Jun. 27, 2013.(Invited)
  11. T. Iwasaki “Single-Crystal and Twisted Graphene Layers on Metal Films” Collaborative Conference on Materials Research, Ramanda Plaza (Jeju Island, South Korea), Jun. 25, 2013.(Invited)
  12. K. Tahara, T. Iwasaki, S. Furuyama , A. Matsutani, M. Hatano, “Characteristics of Fluorinated Graphene Field Effect Transistors”, Compound Semiconductor Week 2013, Kobe Convension Center (Kobe, Japan) , May. 22, 2013.

国内発表

2018

  1. 波多野 睦子 “ダイヤモンドの魅力-宝石、そして次世代パワーデバイス・量子センサの可能性‐“第135回東北大学金属材料研究所講演会(東北大金属材料研究所2号館講堂)2018年5月23日.(特別講演)
  2. 星野 晴華 , 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, “ヘテロエピタキシャル核形成プロセスにおけるバイアス 電流のモニタリング”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 東京, 2018年3月.
  3. 室岡 拓也, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 牧野 俊晴, 小倉 政彦, 加藤 宙光 , Natal Meralys, Saddow Stephen E., 山崎 聡, 波多野 睦子, "3C-SiC/Si 基板上に形成したヘテロエピタキシャルダイ ヤモンドSBD の電気特性”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 東京, 2018年3月.
  4. 金 光秀 , 岩崎 孝之 , 水野 皓介 , 牧野 俊晴 , 加藤 宙光, 小倉 政彦 , 竹内 大輔 , 山崎 聡 , 波多野 睦子, “NVセンターを用いたパワーデバイスの量子イメージン グ計測”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 東京, 2018年3月.
  5. 天野 亘, 野口 宗隆, 渡邊 寛, 波多野 睦子, 小寺 哲夫, "OCVDを用いたSiC-PiNダイオードにおけるキャリア寿 命の評価”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 東京, 2018年3月.
  6. Tuan Minh Hoang , Takeshi Ohshima , Yuta Masuyama , Takayuki Iwasaki, Digh Hisamoto, Mutsuko Hatano, “Magnetic Field Sensing with Silicon Vacancy in 4H-SiC under Ambient Conditions”, 第65回応用物理学会 春季学術講演会, 東京, 2018年3月.
  7. 波多野 睦子, “ダイヤモンド固定量子センサの可能性”, 文部科学省 平成29年度 微細加工プラットフォームコンソーシアム シンポジウム (特別講演), 東京, 2018年3月.

2017

  1. 室岡拓也,矢板潤也,岩崎孝之,牧野俊晴*,加藤宙光*,小倉政彦*,波多野睦子, “大電流化を目指したダイヤモンドJFETの新規構造”, 第31回ダイヤモンドシンポジウム, 兵庫, 2017年11月.
  2. 水野皓介,石綿 整,中島誠人,岩崎孝之,波多野睦子, “広視野NMR顕微鏡の実現にむけたダイヤモンドセンサの磁気感度・周波数分解能の向上”, 第31回ダイヤモンドシンポジウム, 兵庫, 2017年11月.
  3. 増山雄太,水野皓介,小澤勇斗,波多野雄治*,岩崎孝之,波多野睦子, “NVセンターアンサンブルを有する大検出領域量子センシングシステム”, 第31回ダイヤモンドシンポジウム, 兵庫, 2017年11月.
  4. 矢板 潤也 , 星野 晴華 , 辻 赳行 , 岩崎 孝之 , 波多 野 睦子, “ヘテロエピタキシャル核形成技術を用いたナノダイヤモ ンド中のNVセンター配向制御”, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, 2017年9月.
  5. 小澤 勇斗, 石綿 整, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, “完全配向NVセンター薄膜中のN-V軸の熱的安定性評価“, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, 2017年9月.
  6. 辻 赳行, 矢板 潤也, 小澤 勇斗, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, 高プラズマパワー密度CVDによる高配向・高生成NVアンサンブルの高速合成“, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, 2017年9月.
  7. 中島 誠人, 石綿 整, 岩崎 孝之, 波多野 睦子, “高配向NVセンタデルタドープ薄膜を用いた複数核種のNMR測定“, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 福岡, 2017年9月.
  8. 岩崎孝之, 成木航, 田原康佐, ヘナト アミチ, 牧野俊晴, 加藤宙光, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子, “NVセンターによるパワーデバイス内部電界の定量計測”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2017年3月.
  9. 須藤建瑠, 桑原新之介, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子, “高酸素濃度成長を用いたSi(111)上高配向ダイヤ膜の合成”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2017年3月.
  10. 水野皓介, 田原康佐, 石綿整, 中島誠人, 岩崎孝之, 波多野睦子, “NMRイメージングに向けたアンサンブルNVセンタによる広視野ダイナミカルデカップリング”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2017年3月.
  11. 中島誠人, 石綿整, 岩崎孝之, 波多野睦子, “広視野高感度表面磁気計測に向けた高配向NVセンタデルタドープ薄膜の形成”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2017年3月.
  12. R. Amici, T. Iwasaki, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Hatano, “In-Site Temperature Measurement of Diamond Devices using NV Centers”, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2017年3月.

2016

  1. 須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子 「パルスバイアス核形成および選択的エッチング効果を用いた3C-SiC/Si上への(111)高配向ダイヤモンドの合成」 第30回ダイヤモンドシンポジウム, 東京大学駒場リサーチキャンパス, 2016年11月.
  2. 矢板潤也, 岩崎孝之, Meralys Natal, S. E. Saddow, 波多野睦子 「高密度プラズマを用いた3C-SiC/Si上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長及び欠陥評価」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  3. 須藤 建瑠, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子 「3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  4. 水野皓介, 田原康佐, 岩崎孝之, 波多野睦子 「交流磁場のイメージング計測に向けたマイクロ波アンテナの評価」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  5. 石綿整, 田原康佐, 小澤勇斗, 岩崎孝之, 波多野睦子 「高配向NVセンターデルタドープ薄膜を用いたNMR計測」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  6. 小澤勇斗, 田原康佐, 石綿整, 岩崎孝之, 波多野睦子 「光検出磁気共鳴によるダイヤモンドNVアンサンブル膜中のストレス測定とその制御」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  7. 島本祐輔, 須藤建瑠, 波多野睦子, 小田俊理, 岩崎孝之 「ナノダイヤモンド中に形成したGeVセンターからの単一光子放出」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  8. 山岡 裕, 岩崎 一真, 小田 俊理, 小寺 哲夫 「p型シリコン2重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード領域内漏れ電流の磁場依存性」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 新潟, 2016年9月.
  9. 波多野 睦子 「ダイヤモンド量子センシング-ナノエレ,ライフ,量子物理の融合による価値創出を目指して」 生物学・光源・物性研究者による量子生物学合宿勉強会, 兵庫県(SPring-8), 2016年7月(招待講演).
  10. 岩崎孝之, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「バイポーラモード動作ノーマリオフダイヤモンドJFETの高温特性」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  11. 国崎愛子, 長谷川淳一, 岩崎孝之, 野口宗隆, 古橋壮之, 渡邊寛, 中田修平, 小寺哲夫, 波多野睦子 「界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  12. 諏訪泰介, 岩崎孝之, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山﨑聡, 波多野睦子 「縦型ダイヤモンドJFETの作製」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  13. 須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子 「パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  14. 矢板潤也, 岩崎孝之, M. R. Nata, S. E. Saddow, 波多野睦子 「高密度プラズマによる3C-SiC/Si上のダイヤモンド核配向性の向上」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  15. 石綿整, 田原康佐, 小澤勇斗, 岩崎孝之, 波多野睦子 「高配向NVセンターデルタドープ薄膜の形成」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  16. 田原康佐, 小澤勇斗, 岩崎孝之, 波多野睦子 「高配向・高密度NVセンタアンサンブルを用いた交流磁場測定」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  17. 水野皓介, 田原康佐, 成木航, 岩崎孝之, 関口武治, 原田慶恵, 波多野睦子 「ダイヤモンド中のNVセンタを用いた静磁場イメージング」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  18. 小澤勇斗, 田原康佐, 岩崎孝之, 石綿整, 波多野睦子 「CVDダイヤモンドの成長モード制御による高配向NVセンターの高密度化」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  19. 成木航, 岩崎孝之, 田原康佐, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「NVセンターを用いたダイヤモンドデバイス内部電界の検出」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  20. 清水麻希, 牧野俊晴, R. G. Amici, 岩崎孝之, 長谷川淳一, 田原康佐, 成木航, 加藤宙光, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンドnin接合におけるNVセンタの電荷状態の制御」 第63回応用物理学会春季学術講演会, 東京(大岡山), 2016年3月.
  21. 岩崎孝之 「ダイヤモンド半導体による高性能パワーJFETの開発」 第3回グリーンイノベーションシンポジウム, 芝浦工大豊洲キャンパス, 2016年3月(招待講演).

2015

  1. 岩崎孝之, 成木航, 田原康佐, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「デバイス特性評価に向けたダイヤモンドp-n接合デバイスへの発光センター形成」 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2015年11月.
  2. 須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子 「パルスバイアス核形成による3C-SiC(111)/Si(111)上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長」 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2015年11月.
  3. 小澤勇斗, 田原康佐, 岩崎孝之, 波多野睦子 「 [111]へ選択配向したアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成」 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2015年11月.
  4. 清水麻希, 牧野俊晴, 岩崎孝之, 長谷川淳一, 田原康佐, 成木航, 加藤宙光, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンドp-i-n接合におけるNVセンタの電荷状態の変化」 第29回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2015年11月.
  5. 赤羽俊之輔, 佐原豪, 市川尚澄, 加藤正史, 前田和彦, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 波多野睦子 「3C-SiC光電極を用いたCO 2還元によるメタン生成」 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 愛知, 2015年9月.
  6. 国崎愛子, M. Manoharan, 水田博, 小田俊理, 岩崎孝之, 波多野睦子, 小寺哲夫 「ダイヤモンド中の単一複合欠陥の探索に向けたスピン状態に関する第一原理計算」 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 愛知, 2015年9月.
  7. 岩崎孝之, 石橋史隆, 宮本良之, 土井悠生, 小林悟士, 宮崎剛英, 田原康佐, K. Jahnke , L. Rogers, B. Naydnov, F. Jelezko, 山崎聡, 長町信治, 犬伏俊郎, 水落憲和, 波多野睦子 「ダイヤモンド中の単一複合ゲルマニウム- 空孔センター」 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 愛知, 2015年9月.
  8. 田原康佐, 小澤勇斗, 岩崎孝之, 波多野睦子 「ダイヤモンド(111)基板中のアンサンブルNVセンタ配向率の定量化」 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 愛知, 2015年9月.
  9. 佐藤一樹, 岩崎孝之, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「(111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製」 第62回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2015年3月.
  10. 諏訪泰介, 岩崎孝之, 佐藤一樹, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作」 第62回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2015年3月.
  11. 小澤勇斗, 岩崎孝之, 田原康佐, 古山聡子, 清水麻希, 波多野睦子 「 (111)基板上へのアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成」 第62回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2015年3月.
  12. 成木航, 田原康佐, 岩崎孝之, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンドJFETの内部電界測定に向けたNVセンターの形成」 第62回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2015年3月.
  13. 古山聡子, 岩崎孝之, 清水麻希, 矢板潤也, 小寺哲夫, 波多野睦子 「ダイヤモンド選択成長によるNVセンターの集光率向上」 第62回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2015年3月.

2014

  1. 矢板潤也, 岩崎孝之, M. Natal, S. E. Saddow, 波多野睦子 「先端放電型プラズマCVDを用いた3C-SiC/Si上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長」 第28回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2014年11月.
  2. 田原康佐, 岩崎孝之, 松谷晃宏, 波多野睦子 「フッ化グラフェン中のスピン緩和」 第28回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2014年11月.
  3. 佐藤一樹, 岩崎孝之, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 山崎聡, 中村新一, 澤邊厚仁, 波多野睦子 「(111)基板上の横型p-n接合ダイオードの作製と評価」 第28回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2014年11月.
  4. 長谷川淳一, 須藤建瑠, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 古橋壮之, 野口宗隆, 中田修平, 西村正, 波多野睦子 「DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価」 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 2014年9月.
  5. 赤羽俊之輔, J. T. Song, R. G. Amici, 三宅景子, 加藤正史, 岩崎孝之, 波多野睦子 「高安定, 高効率な水の光電気分解に向けたp型3C-SiC電極の開発」 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 2014年9月.
  6. J. T. Song, S. Akabane, R. G. Amici, T. Iwasaki, and M. Hatano, "Photoelectrochemical Co2 reduction on 3C-SiC photoanode", 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 2014年9月.
  7. 矢板潤也, 岩崎孝之, M. Natal, S. E. Saddow, 波多野睦子 「先端放電型プラズマCVDを用いた3C-SiC(001)/Si(001)ウェハ上への高配向ダイヤモンド薄膜合成」 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 2014年9月.
  8. 佐藤一樹, 岩崎孝之, 清水麻希, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉雅彦, 竹内大輔, 山崎聡, 波多野睦子 「(111)基板上のダイヤモンド横型p-n接合の作製」 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 2014年9月.
  9. 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子 「先端放電型プラズマCVDを用いたb-SiC上へのダイヤモンドヘテロエピ タキシャル成長」 第61回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2014年3月.
  10. 古山聡子, 岩崎孝之, 波多野睦子 「ボトムアップ法を用いたダイヤモンドの選択成長」 第61回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2014年3月.
  11. 成木航, 田原康佐, 岩崎孝之, 古山聡子, 松谷晃宏, 波多野睦子 「横型フッ化グラフェン‐グラフェンヘテロ構造の作製」 第61回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2014年3月.

2013

  1. 岩崎孝之, 星野雄斗, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの高温・高電圧特性」 第27回ダイヤモンドシンポジウム, 埼玉, 2013年11月.
  2. 田原康佐, 岩崎孝之, 松谷晃宏, 山口智弘, 石橋幸治, 波多野睦子 「フッ化グラフェンの磁気抵抗効果」 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 京都, 2013年9月.
  3. 星野雄斗, 岩崎孝之, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンド横型接合FETの温度特性」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.
  4. 佐藤一樹, 岩崎孝之, 星野雄斗, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子 「ダイヤモンド横型接合デバイスの耐圧評価」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.
  5. 田原康佐, 岩崎孝之, 古山聡子, 松谷晃宏, 波多野睦子 「フッ化グラフェンFETの温度特性」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.
  6. 古山聡子, 田原康佐, 岩崎孝之, 松谷晃宏, 波多野睦子 「イオン液体ゲートを用いたフッ化グラフェン電界効果トランジスタ」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.
  7. J. T. Song, Y. Nakamine, T. Iwasaki, and M. Hatano, "Enhanced Photoelectrochmical Properties of 3C-SiC by Pt co-catalysts", 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.
  8. 増子尚徳, 宋浚太, 岩崎孝之, 波多野睦子, 大島孝仁, 大友明 「α-(Cr xFe1-x)2O3薄膜の半導体光電極評価」 第60回応用物理学会春季学術講演会, 神奈川, 2013年3月.

2012

  1. 星野雄斗, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 岩崎孝之, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子 「n+選択成長を利用したダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの試作とデバイス特性の解析」 第26回ダイヤモンドシンポジウム, 東京, 2012年11月.
  2. 田原康佐, 岩崎孝之, 松谷晃宏, 古山聡子, 大野恭秀, 松本和彦, 波多野睦子 「フッ化グラフェンのキャリア輸送特性」 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛, 2012年9月.
  3. 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 星野雄斗, 岩崎孝之, 山崎聡, 波多野睦子 「n型ダイヤモンド半導体の選択成長法を用いた横型接合FET」 第73回応用物理学会学術講演会, 愛媛, 2012年9月.
  4. 神谷真行, 岩崎孝之, 波多野睦子 「3C-SiC半導体による水の光電気分解」 第59回応用物理学関係連合講演会, 東京, 2012年3月.
  5. 田原康佐, 岩崎孝之, 松谷晃宏, 波多野睦子 「Ar/F 2プラズマによるフッ化グラフェンの作製」 第59回応用物理学関係連合講演会, 東京, 2012年3月.
  6. 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 星野雄斗, 岩崎孝之, 山崎聡, 波多野睦子 「n型ダイヤモンド半導体の選択成長を適用した横型p-nダイオード」 第59回応用物理学関係連合講演会, 東京, 2012年3月.